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通用晶体管是由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。
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Product
Description
Data Sheet
Polarity
VCEO
IC
hFE Min
hFE Max
fT
PD
Package
Price
(V) (A) (MHz) (W)
2KC7027 NPN Transistors NPN 450 0.2 140 300 50 0.35 SOT-23
BFU590Q NPN Wideband Silicon RF Transistor NPN 16 0.3 60 130 8000 1 SOT-89
2SD1618 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors NPN 15 0.7 140 560 250 1.3 SOT-89
FCX717 PNP Silicon Power Switching Transistor NPN 12 3 300 80 1 SOT-89
FCX718 PNP Silicon Power Switching Transistor NPN 20 2.5 300 150 1 SOT-89
2SC2882 Power Amplifier Applications NPN 80 0.4 70 240 120 0.5 SOT-89
FMMT614 Power Darlington Transistor NPN 100 0.5 0.5 SOT-23
FMMT495 Power High Performance Transistor NPN 150 1 100 300 100 0.5 SOT-23
FMMT589 Power High Performance Transistor NPN 30 1 100 300 100 0.5 SOT-23
2SC4409 Power Switching Applications NPN 50 2 120 400 100 0.5 SOT-89
2SC4540 Power Switching Applications NPN 50 1 120 400 100 0.5 SOT-89
2SC4541 Power Switching Applications NPN 50 3 120 400 100 0.5 SOT-89
2SD1733 Power Transistor NPN 80 1 82 390 100 1 TO-252
2SD1757K Power Transistor NPN 15 0.5 120 560 150 0.2 SOT-23
2SD1782K Power Transistor NPN 80 0.5 120 390 120 0.2 SOT-23
2SD1898 Power Transistor NPN 80 1 82 390 100 0.5 SOT-89
2SD1963 Power Transistor NPN 20 3 180 560 150 0.5 SOT-89
2SD2114K Power Transistor NPN 20 0.5 820 2700 350 0.2 SOT-23
2SD2167 Power Transistor NPN 31 2 56 270 100 0.5 SOT-89
2SD2211 Power Transistor NPN 160 1.5 120 390 80 0.5 SOT-89
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