场效应管能被制造成两种极性。与N沟道MOSFET对称的同类是P沟道MOSFET，两者的特性对称。通常漏极电位比源极电位低，当栅极电位比源极电位低1-2V时，漏极出现电流。但两种极性并非完全对称，因为P沟道MOSFET的载流子是空穴，与电子相比，它的”活动性”差，且有“少数载流子生存时间”短的缺陷，这些都是是影响半导体器件性能的重要参数。值得记住的是：通常P沟道FET的性能较差，它有较高的栅极门限电压，较高的RDSON以及较低的饱和电流。